[이코노미스트 김두용 기자] 중국 창신메모리(CXMT)가 삼성전자와 SK하이닉스를 포함한 글로벌 반도체 기업의 ‘공공의 적’으로 떠오르고 있다. 미국은 안보를 위협하는 ‘시한폭탄’이라고 표현하며 경계심을 드러내고 있다. 

창신메모리의 새로운 메모리 기술이 공개되자 13일 국내 증시는 삼성전자와 SK하이닉스를 중심으로 급락하고 있다. 장중 6%대 급락하면서 지난 7월 31일 이후 2개월 보름 만에 코스피 6000선마저 무너졌다. 

창신메모리는 전날 올해 안에 차세대 서버용 제품을 선보이겠다고 밝혔다. 중국 매체 제일재경·과창판일보에 따르면 차오칸위 창신메모리 총재는 최근 한 행사에서 연말까지 D램 아키텍처 '4F²'를 이용한 차세대 서버용 메모리 제품 'DDR5 RDIMM'을 내놓을 계획이라고 밝혔다.

차오 총재는 이 아키텍처가 D램 트랜지스터 배열상의 혁신이라며, 자체 개발한 'VSG' 트랜지스터가 채널을 수직으로 둘러싸는 방식을 통해 누설 전류 등의 문제를 개선하고 메모리 집적도는 높인다고 설명했다. 이어 창신메모리가 4F² 아키텍처 관련 특허를 다수 보유하고 있다고 소개했다.

반도체 업계에서는 웨이퍼 제조 공정에서 포토리소그래피 기술로 구현할 수 있는 최소 선폭(간격)을 'F'라고 부르는데, 4F²은 메모리 1개 단위의 크기가 'F 제곱의 4배'라는 의미라고 제일재경 등은 설명했다.

이어 현재 D램 업계의 주류 아키텍처는 6F²이며, 6F²에서 4F²로 발전하면서 단위 면적 내 트랜지스터 숫자는 늘고 메모리 집적도는 높아진다고 전했다.

또 서버용 메모리 시장은 삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등이 우위를 보여왔고 창신메모리는 그동안 가전제품에 집중해왔다. 하지만 이번 신제품 출시 예고는 창신메모리가 서버용 메모리 시장으로 영역을 넓히려는 시도라고 해석했다.

창신메모리가 4F²에 기반한 제품을 먼저 출시할 경우 차세대 메모리 경쟁에서 선도적 지위를 점하고 첨단 반도체 공급망에서 중국의 입지도 강화될 수 있다는 전망까지 내놓고 있다. 

홍콩 매체 사우스차이나모닝포스트(SCMP)는 삼성전자와 SK하이닉스가 메모리 집적도를 높이기 위해 이러한 기술을 추구하고 있다며, SK하이닉스는 지난해 4F² 관련 로드맵을 공개한 바 있다고 설명했다.

앞서 트렌드포스 뉴스는 국내 매체 디일렉을 인용해 삼성전자가 지난 3월 10나노(nm·10억분의 1m) 이하 '10a' D램 공정으로 웨이퍼를 제작하면서 4F²구조 등을 처음으로 적용했다고 보도한 바 있다.

삼성전자는 연내에 4F²구조를 이용한 10a D램 개발을 완료한 뒤 내년 품질 테스트를 거쳐 2028년 양산을 목표로 하는 것으로 전해지고 있다. 

이처럼 보도된 사실을 종합하면 창신메모리의 4F² 기반 서버용 메모리 양산 및 공개일정은 삼성전자 등의 양산 시점보다 2년가량 빠른 공격적 스케줄로 평가받고 있다. 범용 D램 및 모바일(LPDDR5X/LPDDR6 등)에 이어 기술적 격차를 빠르게 좁히고 있는 모습이다. 

미국 월스트리트저널은 창신메모리와 관련해 ‘중국 정부의 막대한 보조금과 국가적 지원을 업고 급성장하고 있고, 미국의 대중 반도체 제재망을 우회·무력화하는 대표적 사례’로 지목했다. 

또 미국 정부의 소식통은 “창신메모리의 성장은 미국 안보를 위협하는 시한폭탄”이라며 경계심을 드러냈다. 

블룸버그는 “향후 창신메모리가 저렴한 가격과 대규모 생산 능력을 바탕으로 기존 글로벌 반도체 '빅3' 중심의 시장 질서를 흔들고, 메모리 공급망의 구조적 변화를 일으킬 수 있다”고 평가했다. 

하지만 미국은 자국 기업들의 중국산 메모리 사용을 금기시 하고 있다. 특히 미국 정치권이 중국산 메모리 도입을 강하게 반발하고 있다. 반도체 제조 영역뿐 아니라 중국산 AI 모델이나 서비스 사용을 자국 기업 및 기관 상대로 차단하는 방안까지 검토하고 있는 추세다. 

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